Predstavljen je razlog i motivacija proučavanja luminiscencije poroznog silicija: daljnji napredak u mikroelektroničkoj industriji i integracija s optičkim komponentama. Uveden je model kvantnog zatočenja ekscitona u nanokristalićima unutar sloja poroznog silicija kao jedan od glavnih uzroka luminiscencije te su navedeni i ostali uzroci. Uveden je i raspisan model fononskog zatočenja te veza s Ramanovom spektroskopijom kao glavnom karakterizacijskom tehnikom poroznog silicija u radu. U Materijalima i metodama izložena je elektrokemija poroznog silicija i reprezentativna IV karakteristika procesa jetkanja. Predstavljena je komorica za jetkanje poroznog silicija napravljena u okviru rada, a detaljno je opisana u Dodatku. Proučena je tehnika određivanja i zadavanja sastava elektrolita za jetkanje, čiji je izvod raspisan u Dodatku. Opisana je procedura mjerenja otpornosti silicijeve pločice, pripreme uzoraka, mjerenja IV karakteristika i jetkanja uzoraka. Predstavljena je teorija Ramanove spektroskopije i tehnika proučavanja fononskog zatočenja. Pokazano je da otpornost na jednoj pločici i između pločica varira zanemarivo da bi utjecala na dobivene jetkane uzorke. Proučavane su IV karakteristike procesa jetkanja u potrazi za idealnim parametrima jetkanja, no za visoke koncentracije fluorovodične kiseline nije bilo moguće uočiti režime. Analizirane su tri serije uzoraka gdje se prilagodbom modela fononskog zatočenja na Ramanov spektar dobila procjena veličine kristalića. Snimljena fotoluminiscencija je uspoređena s veličinom kristalića i pozicijom fononske vrpce. Dobiveno je da intenzitet fotoluminiscencije raste smanjivanjem kristalića, a između energije fotoluminiscencije i veličine kristalića nije dobivena povezanost. Rezultati su usporedeni s literaturom te su navedeni razlozi poklapanja ili odstupanja.