diplomski rad
Električki aktivni defekti u 4H-SiC uvedeni zračenjem
Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2017. urn:nbn:hr:217:888173

Sveučilište u Zagrebu
Prirodoslovno-matematički fakultet
Fizički odsjek

Citirajte ovaj rad

Brodar, T. (2017). Električki aktivni defekti u 4H-SiC uvedeni zračenjem (Diplomski rad). Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet. Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:888173

Brodar, Tomislav. "Električki aktivni defekti u 4H-SiC uvedeni zračenjem." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:888173

Brodar, Tomislav. "Električki aktivni defekti u 4H-SiC uvedeni zračenjem." Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, 2017. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:888173

Brodar, T. (2017). 'Električki aktivni defekti u 4H-SiC uvedeni zračenjem', Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, citirano: 29.03.2024., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:888173

Brodar T. Električki aktivni defekti u 4H-SiC uvedeni zračenjem [Diplomski rad]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet; 2017 [pristupljeno 29.03.2024.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:888173

T. Brodar, "Električki aktivni defekti u 4H-SiC uvedeni zračenjem", Diplomski rad, Sveučilište u Zagrebu, Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb, 2017. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:217:888173

Prijavite se u repozitorij kako biste mogli spremiti objekt u svoju listu.